Artikelnummer | TRS10E65C,S1Q | Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2L | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 8442 pcs | Datenblatt | TRS10E65C,S1Q.pdf |
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 10A | Spannung - Sperr (Vr) (max) | 650V |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220-2L | Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Serie | - | Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 0ns |
Verpackung | Tube | Verpackung / Gehäuse | TO-220-2 |
Andere Namen | TRS10E65C,S1Q(S TRS10E65C,S1Q-ND TRS10E65CS1Q |
Betriebstemperatur - Anschluss | 175°C (Max) |
Befestigungsart | Through Hole | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | Diodentyp | Silicon Carbide Schottky |
detaillierte Beschreibung | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 10A (DC) Through Hole TO-220-2L | Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 90µA @ 650V |
Strom - Richt (Io) | 10A (DC) | Kapazität @ Vr, F | - |
FEDEX | www.FedEx.com | Die Grundgebühr für den Versand von 35,00 $ hängt von der Zone und dem Land ab. |
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