TK17A80W,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

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Produktübersicht

Artikelnummer:	TK17A80W,S4X
Hersteller / Marke:	Toshiba Semiconductor and Storage
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
Datenblätte:	TK17A80W,S4X.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	26132 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 26132 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $1.426

10 pcs: $1.272

50 pcs: $1.145

100 pcs: $1.043

250 pcs: $0.941

500 pcs: $0.845

1000 pcs: $0.712

2500 pcs: $0.677

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Spezifikationen von TK17A80W,S4X

Artikelnummer	TK17A80W,S4X	Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	26132 pcs	Datenblatt	TK17A80W,S4X.pdf
Spannung - Prüfung	2050pF @ 300V	Spannung - Durchschlag	TO-220SIS
VGS (th) (Max) @ Id	290 mOhm @ 8.5A, 10V	Vgs (Max)	10V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Serie	DTMOSIV
RoHS Status	Tube	Rds On (Max) @ Id, Vgs	17A (Ta)
Polarisation	TO-220-3 Full Pack	Andere Namen	TK17A80W,S4X(S TK17A80WS4X
Betriebstemperatur	150°C	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	1 (Unlimited)	Hersteller-Teilenummer	TK17A80W,S4X
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	32nC @ 10V	IGBT-Typ	±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4V @ 850µA	FET-Merkmal	N-Channel
Expanded Beschreibung	N-Channel 800V 17A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS	Drain-Source-Spannung (Vdss)	-
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	800V
Kapazitätsverhältnis	45W (Tc)

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Nach dem Verkauf
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