STU2NK100Z

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STU2NK100Z
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 1000V 1.85A IPAK
Datenblätte:	STU2NK100Z.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	58766 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 58766 pcs

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Spezifikationen von STU2NK100Z

Artikelnummer	STU2NK100Z	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 1000V 1.85A IPAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	58766 pcs	Datenblatt	STU2NK100Z.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	I-PAK
Serie	SuperMESH™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5 Ohm @ 900mA, 10V
Verlustleistung (max)	70W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Andere Namen	497-12694-5 STU2NK100Z-ND
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	499pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	1000V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 1000V 1.85A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I-PAK	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	1.85A (Tc)

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