STU3LN80K5

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STU3LN80K5
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N-CHANNEL 800V 2A IPAK
Datenblätte:	1.STU3LN80K5.pdf 2.STU3LN80K5.pdf 3.STU3LN80K5.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	73555 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 73555 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.425

10 pcs: $0.376

100 pcs: $0.297

500 pcs: $0.23

1000 pcs: $0.182

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Spezifikationen von STU3LN80K5

Artikelnummer	STU3LN80K5	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CHANNEL 800V 2A IPAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	73555 pcs	Datenblatt	1.STU3LN80K5.pdf 2.STU3LN80K5.pdf 3.STU3LN80K5.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 100µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	IPAK (TO-251)
Serie	MDmesh™ K5	Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.25 Ohm @ 1A, 10V
Verlustleistung (max)	45W (Tc)	Verpackung / Gehäuse	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Andere Namen	497-17295 STU3LN80K5-ND	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	102pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.63nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	800V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 800V 2A (Tc) 45W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	2A (Tc)

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Nach dem Verkauf
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FEDEX	www.FedEx.com	Die Grundgebühr für den Versand von 35,00 $ hängt von der Zone und dem Land ab.
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TNT	www.TNT.com	Die Grundgebühr für den Versand von 35,00 $ hängt von der Zone und dem Land ab.

★ Lieferzeit dauert 2-4 Tage in die meisten Länder der Welt durch DHL / UPS / FEDEX / TNT.

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