EEPROM-Blöcke schreiben bei 100 µA
Laut Austriamicrosystems bieten die eingebetteten EEPROM-Blöcke für die 0,35-µm-Prozess-Mixed-Signal-Asic-Familie aufgrund ihrer PMOS-basierten NV-Technologie einen Betrieb mit niedrigem Stromverbrauch und eine hohe Datenhaltung über einen erweiterten Temperaturbereich.
Die EEPROM-Blöcke enthalten eine Busschnittstelle und eine interne Ladungspumpe. Der NV-Prozess unterstützt Schreibströme von weniger als 100µA. Der Betrieb erfolgt in Versorgungsspannungsbereichen von 1,8 V bis 3,6 V.
Die Speicherzellen können auch ohne Prozessänderungen als EEPROM-Blöcke oder Flash-Speicher konfiguriert werden. Schreibströme von weniger als 100µA machen das Verfahren für mobile und RFID-Anwendungen geeignet, so der Lieferant.
Die Speicherblöcke sind als zusätzliches Prozessmodul für den 0,35-µm-CMOS-Prozess erhältlich, der von TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) übertragen wird. Die Speicher-IP-Blöcke sind bei austriamicrosystems gegen eine einmalige Lizenzgebühr erhältlich.
Neben nichtflüchtigen EEPROM / Flash-Speichern bietet austriamicrosystems auch OTP-Blöcke an, die auf dem gleichen Chip ohne zusätzliche Maskenebenen kombiniert werden können. Diese Polyfuse-Blöcke sind einmalig bei 3,3 V Betriebsspannung programmierbar und bieten eine sehr schnelle Lesezugriffszeit von 50 ns pro Byte.
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