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Isolierte Gate-Treiber und GaN-FET-Referenzdesigns

EPC

Isolierte Gate-Treiber und GaN-FET-Referenzdesigns

Silicon Labs und EPC arbeiten zusammen, um den Bewertungsprozess ihrer eGaN-FETs zu vereinfachen

Die Isolationstechnologie von Silicon Labs vereinfacht das Design und bietet die besten Timing-Eigenschaften der Industrie, höchste Zuverlässigkeit und niedrigste Emissionen. Kunden verlassen sich auf ihre Lösungen, um eine höhere Systemeffizienz, eine höhere Störfestigkeit, eine höhere Sicherheit und einen geringeren Footprint zu erreichen. Diese Referenzdesigns wurden entwickelt, um eine schnelle Kundenakzeptanz und eine schnellere Markteinführung zu ermöglichen.

Dank der Partnerschaft von Silicon Lab mit EPC können Entwickler von Referenzdesigns profitieren, die den Bewertungsprozess von eGAN-FETs vereinfachen. Diese Referenzdesigns verfügen über eine Halbbrückentopologie mit integrierten Gate-Antrieben und umfassen alle kritischen Komponenten und das Layout für eine optimale Schaltleistung. Die meisten Platinen können verwendet werden, um auf einfache Weise einen funktionierenden Prototyp zu entwickeln, und es müssen nur der LC-Ausgangsfilter und die Terminals hinzugefügt werden.

Hauptmerkmale
  • Niedrige Latenz: 10 ns typisch
  • CMTI 50 kV / & mgr; s typisch
  • UL-, CSA- und VDE-zertifizierte Isolierung: Optionen für 2,5 kV, 3,75 kV und 5 kV
  • 60 Jahre Lebensdauer bei Nennbetriebsspannung
  • AEC-Q100-Qualifikation
Anwendungen
  • DC-DC-Wandler
  • Wechselrichter
  • Audioverstärker der Klasse D
  • Solarwechselrichter
  • Motorantrieb

EPC Half Bridge Plus Treiberentwicklungstools

Half-Bridge-Entwicklungsplatinen vereinfachen den Evaluierungsprozess dieser eGaN-FETs, indem alle kritischen Komponenten und das Layout für eine optimale Schaltleistung auf einer einzigen Platine enthalten sind, die problemlos an jeden vorhandenen Konverter angeschlossen werden kann.

Mitgelieferter digitaler Isolator von Silicon Labs

Die digitalen Isolatoren Si86xx von Silicon Labs sind die branchenweit leistungsstärksten Reihen von unidirektionalen und bidirektionalen Isolatoren mit der größten Kanalzahl, die Isolationswerte von bis zu 5 kVeff unterstützen. Si86xx-Isolatoren basieren auf unserer patentierten CMOS-Isolationstechnologie und ermöglichen einen robusten Betrieb in rauen industriellen Anwendungen.

EPC Half Bridge Plus Treiberentwicklungstools

BildHersteller-TeilenummerBeschreibungVerwendeter IC / Teilverfügbare AnzahlDetails anzeigen
BOARD DEV FOR EPC2010C 200V EGANEPC9003CBOARD DEV FÜR EPC2010C 200V EGANEPC2010C23 - SofortDetails anzeigen
BOARD DEV FOR EPC2012C 200V EGANEPC9004CBOARD DEV FÜR EPC2012C 200V EGANEPC2012C13 - SofortDetails anzeigen
BOARD DEV FOR EPC2019 200V EGANEPC9014KARTE DEV FÜR EPC2019 200V EGANEPC201915 - SofortDetails anzeigen
BOARD DEV FOR EPC2033EPC9047BOARD DEV FÜR EPC2033EPC20335 - SofortDetails anzeigen
BOARD DEV FOR EPC2034EPC9048BOARD DEV FÜR EPC2034EPC203420 - SofortDetails anzeigen

Mitgelieferter digitaler Isolator von Silicon Labs

BildHersteller-TeilenummerBeschreibungTechnologieSpannungsisolationDatenrateverfügbare AnzahlDetails anzeigen
DGTL ISO 3.75KV GEN PURP 8SOICSI8610BC-B-ISDGTL ISO 3.75KV GEN PURP 8SOICKapazitive Kopplung3750 Vrms150 Mbps21510 - SofortDetails anzeigen
DGTL ISO 5KV 1CH GEN PURP 16SOICSI8610BD-B-ISDGTL ISO 5KV 1CH GEN PURP 16SOICKapazitive Kopplung5000Vrms150 Mbps2019 - SofortDetails anzeigen
DGTL ISO 3.75KV GEN PURP 8SOICSI8610EC-B-ISDGTL ISO 3.75KV GEN PURP 8SOICKapazitive Kopplung3750 Vrms150 Mbps876 - SofortDetails anzeigen
DGTL ISO 5KV 1CH GEN PURP 16SOICSI8610ED-B-ISDGTL ISO 5KV 1CH GEN PURP 16SOICKapazitive Kopplung5000Vrms150 Mbps59 - SofortDetails anzeigen
DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOICSI8610AB-B-ISRDGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOICMagnetkupplung2500Vrms1 Mbps2293 - SofortDetails anzeigen