Transistoren-IGBTs-Einzel
Empfohlene Hersteller
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Am 1. April 1999 wurde Siemens Semiconductors zu Infineon Technologies. Ein dynamischeres, flexibleres Unternehmen, das auf den Erfolg in der wettbewerbsintensiven, sich ständig verändernden Welt der Mikroelektronik ausgerichtet ist. Infineon ist ein weltweit führender Entwickler, Hersteller und ...Details
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IKB40N65ES5ATMA1
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:40A 650V TRENCHSTOP5 MEDIUM SPEE
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IKQ120N60TXKSA1
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:IGBT 600V 160A TO247-3-46
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IKZ50N65ES5XKSA1
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:IGBT TRENCH 650V 80A TO247-4
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IRG4PC40SPBF
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:IGBT 600V 60A 160W TO247AC
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- - ON Semiconductor (Nasdaq: ON) treibt energieeffiziente Innovationen voran und befähigt Kunden, den weltweiten Energieverbrauch zu reduzieren. Das Unternehmen bietet ein umfassendes Portfolio energieeffizienter Energie- und Signalmanagement-, Logik-, diskreter und kundenspezifischer Lösungen, die...Details
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NGTB30N135IHRWG
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:IGBT 1350V 60A 394W TO247
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NGTB20N120IHRWG
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:IGBT 1200V 40A 384W TO247
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SGH40N60UFTU
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:IGBT 600V 40A 160W TO3P
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FGH75T65SHDTL4
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:IGBT 650V 150A 455W TO-247
- STMicroelectronics
- - STMicroelectronics ist ein weltweit unabhängiges Halbleiterunternehmen und führend bei der Entwicklung und Lieferung von Halbleiterlösungen für das gesamte Spektrum der Mikroelektronik. Eine unübertroffene Kombination von Silizium- und System-Know-how, Fertigungsstärke, IP-Portfolio und stra...Details
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STGF7NC60HD
STMicroelectronics
Beschreibung:IGBT 600V 10A 25W TO220FP
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STGP10NC60S
STMicroelectronics
Beschreibung:IGBT 600V 21A 62.5W TO220
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STGWT60V60DF
STMicroelectronics
Beschreibung:IGBT 600V 80A 375W TO3P
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STGWA40N120KD
STMicroelectronics
Beschreibung:IGBT 1200V 80A 240W TO247
- IXYS Corporation
- - Die IXYS Corporation bietet eine breite Palette von Hochleistungshalbleitern, darunter Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand, ultraschnell schaltende IGBTs, FREDs (Fast Recovery Diode), SCR- und Diodenmodule, Gleichrichterbrücken und Leistungsschnittstellen-ICs. Details
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IXGF30N400
IXYS Corporation
Beschreibung:IGBT 4000V 30A 160W I4-PAK
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IXBH2N250
IXYS Corporation
Beschreibung:IGBT 2500V 5A 32W TO247
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IXXX200N60C3
IXYS Corporation
Beschreibung:IGBT 600V 200A PLUS247
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IXYN30N170CV1
IXYS Corporation
Beschreibung:1700V/85A HIGH VOLTAGE XPT IGBT
- Microsemi
- - Microsemi Corporation (Nasdaq: MSCC) bietet ein umfassendes Portfolio an Halbleiter- und Systemlösungen für die Luft- und Raumfahrt-, Kommunikations-, Rechenzentrums- und Industriemärkte. Zu den Produkten gehören hochleistungsfähige und strahlungsgehärtete analoge Mixed-Signal-ICs, FPGAs, So...Details
- Renesas Electronics America
- - Renesas Electronics America entwickelt und fertigt hochintegrierte Halbleitersystemlösungen für Automobil-, Mobilfunk- und PC / AV-Märkte. Am 1. April 2003 als Joint Venture zwischen Hitachi, Ltd. und der Mitsubishi Electric Corporation mit Sitz in Tokio, Japan, gegründet, ist Renesas eines de...Details
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RJP65T43DPQ-A0#T2
Renesas Electronics America
Beschreibung:IGBT TRENCH 650V 60A TO247A
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RJH60F3DPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
Beschreibung:IGBT 600V 40A 178.5W TO-247A
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RJH60D7BDPQ-E0#T2
Renesas Electronics America
Beschreibung:IGBT 600V 90A 300W TO-247