Transistoren-IGBTs-Einzel
Empfohlene Hersteller
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Am 1. April 1999 wurde Siemens Semiconductors zu Infineon Technologies. Ein dynamischeres, flexibleres Unternehmen, das auf den Erfolg in der wettbewerbsintensiven, sich ständig verändernden Welt der Mikroelektronik ausgerichtet ist. Infineon ist ein weltweit führender Entwickler, Hersteller und ...Details
-
IGW15T120FKSA1
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:IGBT 1200V 30A 110W TO247-3
-
IKW30N60TFKSA1
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:IGBT 600V 60A 187W TO247-3
-
IRG4PC40WPBF
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:IGBT 600V 40A 160W TO247AC
-
IRGS14C40LPBF
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:IGBT 430V 20A 125W D2PAK
- IXYS Corporation
- - Die IXYS Corporation bietet eine breite Palette von Hochleistungshalbleitern, darunter Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand, ultraschnell schaltende IGBTs, FREDs (Fast Recovery Diode), SCR- und Diodenmodule, Gleichrichterbrücken und Leistungsschnittstellen-ICs. Details
-
IXBL60N360
IXYS Corporation
Beschreibung:IGBT 3600V 92A ISOPLUS I5PAK
-
IXGF25N300
IXYS Corporation
Beschreibung:IGBT 3000V 27A 114W I4-PAK
-
IXGT28N120BD1
IXYS Corporation
Beschreibung:IGBT 1200V 50A 250W TO268
-
IXGH48N60A3
IXYS Corporation
Beschreibung:IGBT 600V 120A 300W TO247
- STMicroelectronics
- - STMicroelectronics ist ein weltweit unabhängiges Halbleiterunternehmen und führend bei der Entwicklung und Lieferung von Halbleiterlösungen für das gesamte Spektrum der Mikroelektronik. Eine unübertroffene Kombination von Silizium- und System-Know-how, Fertigungsstärke, IP-Portfolio und stra...Details
-
STGWA80H65FB
STMicroelectronics
Beschreibung:IGBT 650V 120A 469W TO247
-
STGWA80H65DFB
STMicroelectronics
Beschreibung:IGBT BIPO 650V 80A TO247-3
-
STGFW40V60F
STMicroelectronics
Beschreibung:IGBT 600V 80A 62.5W TO-3PF
-
STGB3NB60SDT4
STMicroelectronics
Beschreibung:IGBT 600V 6A 70W D2PAK
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- - ON Semiconductor (Nasdaq: ON) treibt energieeffiziente Innovationen voran und befähigt Kunden, den weltweiten Energieverbrauch zu reduzieren. Das Unternehmen bietet ein umfassendes Portfolio energieeffizienter Energie- und Signalmanagement-, Logik-, diskreter und kundenspezifischer Lösungen, die...Details
-
NGTB15N120IHRWG
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:IGBT 1200V 15A TO247
-
TIG067SS-TL-2W
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:IGBT 400V 150A 8SOIC
-
NGD15N41CLT4
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:IGBT 440V 15A 107W DPAK
-
HGTP7N60C3D
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:IGBT 600V 14A 60W TO220AB
- Microsemi
- - Microsemi Corporation (Nasdaq: MSCC) bietet ein umfassendes Portfolio an Halbleiter- und Systemlösungen für die Luft- und Raumfahrt-, Kommunikations-, Rechenzentrums- und Industriemärkte. Zu den Produkten gehören hochleistungsfähige und strahlungsgehärtete analoge Mixed-Signal-ICs, FPGAs, So...Details
-
APT80GA60B
Microsemi
Beschreibung:IGBT 600V 143A 625W TO247
-
APT25GR120B
Microsemi
Beschreibung:IGBT 1200V 75A 521W TO247
-
APT15GP60BDLG
Microsemi
Beschreibung:IGBT 600V 56A 250W TO247
-
APT40GP60BG
Microsemi
Beschreibung:IGBT 600V 100A 543W TO247
- Renesas Electronics America
- - Renesas Electronics America entwickelt und fertigt hochintegrierte Halbleitersystemlösungen für Automobil-, Mobilfunk- und PC / AV-Märkte. Am 1. April 2003 als Joint Venture zwischen Hitachi, Ltd. und der Mitsubishi Electric Corporation mit Sitz in Tokio, Japan, gegründet, ist Renesas eines de...Details
-
RJH60A83RDPN-E0#T2
Renesas Electronics America
Beschreibung:IGBT 600V 20A TO-220AB
-
RJH60F6BDPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
Beschreibung:IGBT 600V 85A 297.6W TO-247A
-
RJH60D1DPP-M0#T2
Renesas Electronics America
Beschreibung:IGBT 600V 20A 20.8W TO220FL