Transistoren-IGBTs-Einzel
Empfohlene Hersteller
- IXYS Corporation
- - Die IXYS Corporation bietet eine breite Palette von Hochleistungshalbleitern, darunter Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand, ultraschnell schaltende IGBTs, FREDs (Fast Recovery Diode), SCR- und Diodenmodule, Gleichrichterbrücken und Leistungsschnittstellen-ICs. Details
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IXYT25N250CHV
IXYS Corporation
Beschreibung:IGBT 2500V 235A TO-268HV
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IXYH10N170C
IXYS Corporation
Beschreibung:IGBT 1.7KV 36A TO247
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IXYX25N250CV1HV
IXYS Corporation
Beschreibung:IGBT 2500V 235A PLUS247
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IXGH64N60A3
IXYS Corporation
Beschreibung:IGBT 600V 460W TO247
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Am 1. April 1999 wurde Siemens Semiconductors zu Infineon Technologies. Ein dynamischeres, flexibleres Unternehmen, das auf den Erfolg in der wettbewerbsintensiven, sich ständig verändernden Welt der Mikroelektronik ausgerichtet ist. Infineon ist ein weltweit führender Entwickler, Hersteller und ...Details
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IKP20N65H5XKSA1
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:IGBT TRENCH 650V 42A TO220-3
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IHW40N65R5XKSA1
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:IGBT 650V 80A 230W TO247
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IKW75N60TAFKSA1
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:IGBT 600V 80A 428W TO247-3
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IRG4BC30S-S
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:IGBT 600V 34A 100W D2PAK
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- - ON Semiconductor (Nasdaq: ON) treibt energieeffiziente Innovationen voran und befähigt Kunden, den weltweiten Energieverbrauch zu reduzieren. Das Unternehmen bietet ein umfassendes Portfolio energieeffizienter Energie- und Signalmanagement-, Logik-, diskreter und kundenspezifischer Lösungen, die...Details
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FGA25S125P-SN00337
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:IGBT 1250V 50A 250W TO-3PN
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FGY75N60SMD
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:IGBT 600V 150A 750W POWER-247
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FGD3N60UNDF
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:IGBT 600V 6A 60W DPAK
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NGTB25N120IHLWG
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:IGBT 1200V 50A 192W TO247-3
- STMicroelectronics
- - STMicroelectronics ist ein weltweit unabhängiges Halbleiterunternehmen und führend bei der Entwicklung und Lieferung von Halbleiterlösungen für das gesamte Spektrum der Mikroelektronik. Eine unübertroffene Kombination von Silizium- und System-Know-how, Fertigungsstärke, IP-Portfolio und stra...Details
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STGW80V60DF
STMicroelectronics
Beschreibung:IGBT 600V 120A 469W TO247
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STGB20NB37LZ
STMicroelectronics
Beschreibung:IGBT 425V 40A 200W D2PAK
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STGP6M65DF2
STMicroelectronics
Beschreibung:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
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STGD10NC60HT4
STMicroelectronics
Beschreibung:IGBT 600V 20A 60W DPAK
- Renesas Electronics America
- - Renesas Electronics America entwickelt und fertigt hochintegrierte Halbleitersystemlösungen für Automobil-, Mobilfunk- und PC / AV-Märkte. Am 1. April 2003 als Joint Venture zwischen Hitachi, Ltd. und der Mitsubishi Electric Corporation mit Sitz in Tokio, Japan, gegründet, ist Renesas eines de...Details
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RJP60F4DPM-00#T1
Renesas Electronics America
Beschreibung:IGBT 600V 60A 41.2W TO-3PFM
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RJH1BF6RDPQ-80#T2
Renesas Electronics America
Beschreibung:IGBT 1100V 55A 227.2W TO247
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RJH1CV5DPK-00#T0
Renesas Electronics America
Beschreibung:IGBT 1200V 50A 245W TO-3P