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International Rectifier (Infineon Technologies): Am 1. April 1999 wurde Siemens Semiconductors zu Infineon Technologies. Ein dynamischeres, flexibleres Unternehmen, das auf den Erfolg in der wettbewerbsintensiven, sich ständig verändernden Welt der Mikroelektronik ausgerichtet ist. Infineon ist ein weltweit führender Entwickler, Hersteller und ...Details

IGW40T120FKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Beschreibung:IGBT 1200V 75A 270W TO247-3
IHW20N135R5XKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Beschreibung:IGBT 1350V 40A 288W TO247
IGW50N60H3FKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Beschreibung:IGBT 600V 100A 333W TO247-3
IKB20N65EH5ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Beschreibung:INDUSTRY 14

IXYS Corporation: - Die IXYS Corporation bietet eine breite Palette von Hochleistungshalbleitern, darunter Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand, ultraschnell schaltende IGBTs, FREDs (Fast Recovery Diode), SCR- und Diodenmodule, Gleichrichterbrücken und Leistungsschnittstellen-ICs. Details

IXGP15N120B IXYS Corporation Beschreibung:IGBT 1200V 30A 150W TO220AB
MMIX1X100N60B3H1 IXYS Corporation Beschreibung:IGBT 600V 145A 400W SMPD
IXBH24N170 IXYS Corporation Beschreibung:IGBT 1700V 60A 250W TO247
IXYH20N65C3 IXYS Corporation Beschreibung:IGBT 650V 50A 230W TO247AD

STMicroelectronics: - STMicroelectronics ist ein weltweit unabhängiges Halbleiterunternehmen und führend bei der Entwicklung und Lieferung von Halbleiterlösungen für das gesamte Spektrum der Mikroelektronik. Eine unübertroffene Kombination von Silizium- und System-Know-how, Fertigungsstärke, IP-Portfolio und stra...Details

STGW80V60F STMicroelectronics Beschreibung:IGBT 600V 120A 469W TO247
STGFW80V60F STMicroelectronics Beschreibung:IGBT 600V 120A 79W TO-3PF
STGW30V60DF STMicroelectronics Beschreibung:IGBT 600V 60A 258W TO247
STGB7H60DF STMicroelectronics Beschreibung:IGBT 600V 14A 88W D2PAK

AMI Semiconductor / ON Semiconductor: - ON Semiconductor (Nasdaq: ON) treibt energieeffiziente Innovationen voran und befähigt Kunden, den weltweiten Energieverbrauch zu reduzieren. Das Unternehmen bietet ein umfassendes Portfolio energieeffizienter Energie- und Signalmanagement-, Logik-, diskreter und kundenspezifischer Lösungen, die...Details

FGH25T120SMD-F155 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Beschreibung:IGBT 1200V 50A 428W TO247-3
FGA6065ADF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Beschreibung:IGBT 650V 120A 306W TO3P
FGD3N60LSDTM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Beschreibung:IGBT 600V 6A 40W DPAK
NGTB30N60FWG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Beschreibung:IGBT 600V 60A 167W TO247

Renesas Electronics America: - Renesas Electronics America entwickelt und fertigt hochintegrierte Halbleitersystemlösungen für Automobil-, Mobilfunk- und PC / AV-Märkte. Am 1. April 2003 als Joint Venture zwischen Hitachi, Ltd. und der Mitsubishi Electric Corporation mit Sitz in Tokio, Japan, gegründet, ist Renesas eines de...Details

RJH60F6DPQ-A0#T0 Renesas Electronics America Beschreibung:IGBT 600V 85A 297.6W TO247A
RJH65T47DPQ-A0#T0 Renesas Electronics America Beschreibung:IGBT TRENCH 650V 90A TO247A
RJH1CF5RDPQ-80#T2 Renesas Electronics America Beschreibung:IGBT 1200V 50A 192.3W TO247

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: FGPF120N30TU; Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor; Beschreibung: IGBT 300V 120A 60W TO220F; vorrätig: 6231 pcs; Herunterladen: FGPF120N30TU.pdf; RFQ

: IRG4BC10SD-SPBF; Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies); Beschreibung: IGBT 600V 14A 38W D2PAK; vorrätig: 6087 pcs; Herunterladen: IRG4BC10SD-SPBF.pdf; RFQ

: IXGH20N60AU1; Hersteller: IXYS Corporation; Beschreibung: IGBT 600V 40A 150W TO247AD; vorrätig: 5590 pcs; Herunterladen:; RFQ

: RJH1CF5RDPQ-80#T2; Hersteller: Renesas Electronics America; Beschreibung: IGBT 1200V 50A 192.3W TO247; vorrätig: 6629 pcs; Herunterladen: RJH1CF5RDPQ-80#T2.pdf; RFQ

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