FGA6065ADF

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FGA6065ADF
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	IGBT 650V 120A 306W TO3P
Datenblätte:	FGA6065ADF.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	18771 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 18771 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $2.037

10 pcs: $1.83

450 pcs: $1.422

900 pcs: $1.276

1350 pcs: $1.076

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Spezifikationen von FGA6065ADF

Artikelnummer	FGA6065ADF	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	IGBT 650V 120A 306W TO3P	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	18771 pcs	Datenblatt	FGA6065ADF.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	650V	VCE (on) (Max) @ Vge, Ic	2.3V @ 15V, 60A
Testbedingung	400V, 60A, 6 Ohm, 15V	Td (ein / aus) bei 25 ° C	25.6ns/71ns
Schaltenergie	2.46mJ (on), 520µJ (off)	Supplier Device-Gehäuse	TO-3PN
Serie	-	Rückwärts-Erholzeit (Trr)	110ns
Leistung - max	306W	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-3P-3, SC-65-3	Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabetyp	Standard
IGBT-Typ	Trench Field Stop	Gate-Ladung	84nC
detaillierte Beschreibung	IGBT Trench Field Stop 650V 120A 306W Through Hole TO-3PN	Strom - Collector Pulsed (Icm)	180A
Strom - Kollektor (Ic) (max)	120A

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Nach dem Verkauf
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