Transistoren-IGBTs-Einzel
Empfohlene Hersteller
- IXYS Corporation
- - Die IXYS Corporation bietet eine breite Palette von Hochleistungshalbleitern, darunter Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand, ultraschnell schaltende IGBTs, FREDs (Fast Recovery Diode), SCR- und Diodenmodule, Gleichrichterbrücken und Leistungsschnittstellen-ICs. Details
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IXGT2N250
IXYS Corporation
Beschreibung:IGBT 2500V 5.5A 32W TO-268
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IXYH30N170C
IXYS Corporation
Beschreibung:1700V/108A HIGH VOLTAGE XPT IGB
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IXGH10N170
IXYS Corporation
Beschreibung:IGBT 1700V 20A 110W TO247
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IXDH30N120
IXYS Corporation
Beschreibung:IGBT 1200V 60A 300W TO247AD
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Am 1. April 1999 wurde Siemens Semiconductors zu Infineon Technologies. Ein dynamischeres, flexibleres Unternehmen, das auf den Erfolg in der wettbewerbsintensiven, sich ständig verändernden Welt der Mikroelektronik ausgerichtet ist. Infineon ist ein weltweit führender Entwickler, Hersteller und ...Details
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IKW25N120T2FKSA1
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:IGBT 1200V 50A 349W TO247-3
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AUIRG4PH50S
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:IGBT 1200V 57A 200W TO247AC
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IRGP4068DPBF
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:IGBT 600V 96A 330W TO247AC
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IGP20N65F5XKSA1
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:IGBT TRENCH 650V 42A TO220-3
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- - ON Semiconductor (Nasdaq: ON) treibt energieeffiziente Innovationen voran und befähigt Kunden, den weltweiten Energieverbrauch zu reduzieren. Das Unternehmen bietet ein umfassendes Portfolio energieeffizienter Energie- und Signalmanagement-, Logik-, diskreter und kundenspezifischer Lösungen, die...Details
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FGH60T65SHD-F155
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:IGBT 650V 120A 349W TO-247
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NGTB25N120FLWG
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:IGBT 1200V 25A TO247-3
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HGTG30N60A4
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:IGBT 600V 75A 463W TO247
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TIG058E8-TL-H
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:IGBT 400V ECH8
- Renesas Electronics America
- - Renesas Electronics America entwickelt und fertigt hochintegrierte Halbleitersystemlösungen für Automobil-, Mobilfunk- und PC / AV-Märkte. Am 1. April 2003 als Joint Venture zwischen Hitachi, Ltd. und der Mitsubishi Electric Corporation mit Sitz in Tokio, Japan, gegründet, ist Renesas eines de...Details
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RJH1CF4RDPQ-80#T2
Renesas Electronics America
Beschreibung:IGBT 1200V 40A 156.2W TO247
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RJH1CF7RDPQ-80#T2
Renesas Electronics America
Beschreibung:IGBT 1200V 60A 250W TO247
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RJH60F5DPK-00#T0
Renesas Electronics America
Beschreibung:IGBT 600V 80A 260.4W TO-3P
- STMicroelectronics
- - STMicroelectronics ist ein weltweit unabhängiges Halbleiterunternehmen und führend bei der Entwicklung und Lieferung von Halbleiterlösungen für das gesamte Spektrum der Mikroelektronik. Eine unübertroffene Kombination von Silizium- und System-Know-how, Fertigungsstärke, IP-Portfolio und stra...Details
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STGW60H65DRF
STMicroelectronics
Beschreibung:IGBT 650V 120A 420W TO247
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STGWA15S120DF3
STMicroelectronics
Beschreibung:IGBT 1200V 15A TO247-3L
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STGB12NB60KDT4
STMicroelectronics
Beschreibung:IGBT 600V 30A 125W D2PAK