Transistoren-IGBTs-Einzel
Empfohlene Hersteller
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Am 1. April 1999 wurde Siemens Semiconductors zu Infineon Technologies. Ein dynamischeres, flexibleres Unternehmen, das auf den Erfolg in der wettbewerbsintensiven, sich ständig verändernden Welt der Mikroelektronik ausgerichtet ist. Infineon ist ein weltweit führender Entwickler, Hersteller und ...Details
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IRGIB6B60KDPBF
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:IGBT 600V 11A 38W TO220FP
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IHW40N60RFFKSA1
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:IGBT 600V 80A 305W TO247-3
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IRG4BC20KDSTRLP
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:IGBT 600V 16A 60W D2PAK
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IRG4PH50UDPBF
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:IGBT 1200V 45A 200W TO247AC
- IXYS Corporation
- - Die IXYS Corporation bietet eine breite Palette von Hochleistungshalbleitern, darunter Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand, ultraschnell schaltende IGBTs, FREDs (Fast Recovery Diode), SCR- und Diodenmodule, Gleichrichterbrücken und Leistungsschnittstellen-ICs. Details
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IXGT72N60A3
IXYS Corporation
Beschreibung:IGBT 600V 75A 540W TO268
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IXGK82N120B3
IXYS Corporation
Beschreibung:IGBT 1200V 230A 1250W TO264
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IXGT15N120B
IXYS Corporation
Beschreibung:IGBT 1200V 30A 180W TO268
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IXXH150N60C3
IXYS Corporation
Beschreibung:IGBT 600V TO247
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- - ON Semiconductor (Nasdaq: ON) treibt energieeffiziente Innovationen voran und befähigt Kunden, den weltweiten Energieverbrauch zu reduzieren. Das Unternehmen bietet ein umfassendes Portfolio energieeffizienter Energie- und Signalmanagement-, Logik-, diskreter und kundenspezifischer Lösungen, die...Details
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NGTG40N120FL2WG
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:IGBT 1200V 40A TO-247
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FGAF40N60UFDTU
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:IGBT 600V 40A 100W TO3PF
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FGH40N65UFDTU-F085
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:IGBT 650V 40A 290W TO247
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HGTG18N120BN
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:IGBT 1200V 54A 390W TO247
- STMicroelectronics
- - STMicroelectronics ist ein weltweit unabhängiges Halbleiterunternehmen und führend bei der Entwicklung und Lieferung von Halbleiterlösungen für das gesamte Spektrum der Mikroelektronik. Eine unübertroffene Kombination von Silizium- und System-Know-how, Fertigungsstärke, IP-Portfolio und stra...Details
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STGF17NC60SD
STMicroelectronics
Beschreibung:IGBT 600V 17A 32W TO220FP
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STGW35NC60WD
STMicroelectronics
Beschreibung:IGBT 600V 70A 260W TO247
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STGW15M120DF3
STMicroelectronics
Beschreibung:IGBT 1200V 30A 259W
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STGP10NC60K
STMicroelectronics
Beschreibung:IGBT 600V 20A 60W TO220
- Renesas Electronics America
- - Renesas Electronics America entwickelt und fertigt hochintegrierte Halbleitersystemlösungen für Automobil-, Mobilfunk- und PC / AV-Märkte. Am 1. April 2003 als Joint Venture zwischen Hitachi, Ltd. und der Mitsubishi Electric Corporation mit Sitz in Tokio, Japan, gegründet, ist Renesas eines de...Details
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RJH60F3DPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
Beschreibung:IGBT 600V 40A 178.5W TO-247A
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RJH60D1DPE-00#J3
Renesas Electronics America
Beschreibung:IGBT 600V 20A 52W LDPAK
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RJH60F5DPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
Beschreibung:IGBT 600V 80A 260.4W TO247A