Transistoren-IGBTs-Einzel
Empfohlene Hersteller
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Am 1. April 1999 wurde Siemens Semiconductors zu Infineon Technologies. Ein dynamischeres, flexibleres Unternehmen, das auf den Erfolg in der wettbewerbsintensiven, sich ständig verändernden Welt der Mikroelektronik ausgerichtet ist. Infineon ist ein weltweit führender Entwickler, Hersteller und ...Details
-
IGP30N60H3XKSA1
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:IGBT 600V 60A 187W TO220-3
-
IRGR3B60KD2TRP
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:IGBT 600V 7.8A 52W DPAK
-
IRG4BC30WPBF
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:IGBT 600V 23A 100W TO220AB
-
IRG4PC40UDPBF
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:IGBT 600V 40A 160W TO247AC
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- - ON Semiconductor (Nasdaq: ON) treibt energieeffiziente Innovationen voran und befähigt Kunden, den weltweiten Energieverbrauch zu reduzieren. Das Unternehmen bietet ein umfassendes Portfolio energieeffizienter Energie- und Signalmanagement-, Logik-, diskreter und kundenspezifischer Lösungen, die...Details
-
FGH15T120SMD-F155
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:IGBT 1200V 30A 333W TO247-3
-
NGTG12N60TF1G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:IGBT 600V 24A 54W TO-3PF
-
NGTB20N120IHRWG
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:IGBT 1200V 40A 384W TO247
-
FGS15N40LTF
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:IGBT 400V 2W 8SOP
- STMicroelectronics
- - STMicroelectronics ist ein weltweit unabhängiges Halbleiterunternehmen und führend bei der Entwicklung und Lieferung von Halbleiterlösungen für das gesamte Spektrum der Mikroelektronik. Eine unübertroffene Kombination von Silizium- und System-Know-how, Fertigungsstärke, IP-Portfolio und stra...Details
-
STGWA45HF60WDI
STMicroelectronics
Beschreibung:IGBT 600V 80A 310W TO247
-
STGP5H60DF
STMicroelectronics
Beschreibung:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S
-
STGWA60NC60WDR
STMicroelectronics
Beschreibung:IGBT 600V 130A 340W TO247
-
STGD5NB120SZ-1
STMicroelectronics
Beschreibung:IGBT 1200V 10A 75W IPAK
- IXYS Corporation
- - Die IXYS Corporation bietet eine breite Palette von Hochleistungshalbleitern, darunter Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand, ultraschnell schaltende IGBTs, FREDs (Fast Recovery Diode), SCR- und Diodenmodule, Gleichrichterbrücken und Leistungsschnittstellen-ICs. Details
-
IXGH17N100
IXYS Corporation
Beschreibung:IGBT 1000V 34A 150W TO247AD
-
IXA33IF1200HB
IXYS Corporation
Beschreibung:IGBT 1200V 58A 250W TO247
-
IXGH25N100U1
IXYS Corporation
Beschreibung:IGBT 1000V 50A 200W TO247AD
-
IXGA12N60BD1
IXYS Corporation
Beschreibung:IGBT 600V 24A 100W TO263AA
- Microsemi
- - Microsemi Corporation (Nasdaq: MSCC) bietet ein umfassendes Portfolio an Halbleiter- und Systemlösungen für die Luft- und Raumfahrt-, Kommunikations-, Rechenzentrums- und Industriemärkte. Zu den Produkten gehören hochleistungsfähige und strahlungsgehärtete analoge Mixed-Signal-ICs, FPGAs, So...Details
-
APT33GF120BRG
Microsemi
Beschreibung:IGBT 1200V 52A 297W TO247
-
APT70GR120B2
Microsemi
Beschreibung:IGBT 1200V 160A 961W TO247
-
APT40GR120B
Microsemi
Beschreibung:IGBT 1200V 88A 500W TO247