Transistoren-IGBTs-Einzel
Empfohlene Hersteller
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Am 1. April 1999 wurde Siemens Semiconductors zu Infineon Technologies. Ein dynamischeres, flexibleres Unternehmen, das auf den Erfolg in der wettbewerbsintensiven, sich ständig verändernden Welt der Mikroelektronik ausgerichtet ist. Infineon ist ein weltweit führender Entwickler, Hersteller und ...Details
-
AUIRGP65G40D0
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:IGBT 600V 62A 625W TO247
-
IRG4BC40UPBF
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:IGBT 600V 40A 160W TO220AB
-
IKW30N65EL5XKSA1
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:IGBT 650V 30A FAST DIODE TO247-3
-
IKW25T120FKSA1
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:IGBT 1200V 50A 190W TO247-3
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- - ON Semiconductor (Nasdaq: ON) treibt energieeffiziente Innovationen voran und befähigt Kunden, den weltweiten Energieverbrauch zu reduzieren. Das Unternehmen bietet ein umfassendes Portfolio energieeffizienter Energie- und Signalmanagement-, Logik-, diskreter und kundenspezifischer Lösungen, die...Details
-
FGA30N120FTDTU
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:IGBT 1200V 60A 339W TO3P
-
NGTB40N65IHRTG
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:650V/40A RC IGBT
-
FGAF40N60UFTU
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:IGBT 600V 40A 100W TO3PF
-
FGB3040CS
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:IGBT 430V 21A 150W TO263-6
- STMicroelectronics
- - STMicroelectronics ist ein weltweit unabhängiges Halbleiterunternehmen und führend bei der Entwicklung und Lieferung von Halbleiterlösungen für das gesamte Spektrum der Mikroelektronik. Eine unübertroffene Kombination von Silizium- und System-Know-how, Fertigungsstärke, IP-Portfolio und stra...Details
-
STGP10M65DF2
STMicroelectronics
Beschreibung:IGBT 650V 10A TO-220AB
-
STGB40H65FB
STMicroelectronics
Beschreibung:IGBT BIPO 650V 40A D2PAK
-
STGF14NC60KD
STMicroelectronics
Beschreibung:IGBT 600V 11A 28W TO220FP
-
STGW25M120DF3
STMicroelectronics
Beschreibung:IGBT 1200V 50A 375W
- IXYS Corporation
- - Die IXYS Corporation bietet eine breite Palette von Hochleistungshalbleitern, darunter Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand, ultraschnell schaltende IGBTs, FREDs (Fast Recovery Diode), SCR- und Diodenmodule, Gleichrichterbrücken und Leistungsschnittstellen-ICs. Details
-
IXGH45N120
IXYS Corporation
Beschreibung:IGBT 1200V 75A 300W TO247
-
IXGH42N30C3
IXYS Corporation
Beschreibung:IGBT 300V 223W TO247
-
IXGP28N120B
IXYS Corporation
Beschreibung:IGBT 1200V 50A 250W TO220
-
IXGH16N170A
IXYS Corporation
Beschreibung:IGBT 1700V 16A 190W TO247