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MUN5113DW1T1G

ON SemiconductorON Semiconductor
MUN5113DW1T1G Image
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Produktübersicht

Artikelnummer: MUN5113DW1T1G
Hersteller / Marke: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Datenblätte: MUN5113DW1T1G.pdf
RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers 1641869 pcs stock
Liefern von Hongkong
Versandweg DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 1641869 pcs
Referenzpreis (in US-Dollar)
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$0.017
6000 pcs
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Spezifikationen von MUN5113DW1T1G

Artikelnummer MUN5113DW1T1G Hersteller ON Semiconductor
Beschreibung TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 1641869 pcs Datenblatt MUN5113DW1T1G.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 100mA Spannung - Durchschlag SC-88/SC70-6/SOT-363
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 50V Serie -
RoHS Status Tape & Reel (TR) Widerstand - Emitter-Basis (R2) (Ohm) 47k
Widerstand - Base (R1) (Ohm) - Leistung - max 250mW
Polarisation 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Andere Namen MUN5113DW1T1G-ND
MUN5113DW1T1GOSTR
Rauschzahl (dB Typ @ f) 47k Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited) Hersteller-Teilenummer MUN5113DW1T1G
Frequenz - Übergang 80 @ 5mA, 10V Expanded Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Beschreibung TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 500nA
Strom - Collector Cutoff (Max) 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektor (Ic) (max) 2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Lieferung

★ KOSTENLOSER VERSAND ÜBER DHL / FEDEX / UPS BEI BESTELLUNG ÜBER 1.000 USD.
(NUR FÜR integrierte Schaltungen, Schaltungsschutz, HF / ZF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

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DHL www.DHL.com Die Grundgebühr für den Versand von 35,00 $ hängt von der Zone und dem Land ab.
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