DMS3016SFG-7

Diodes Incorporated

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DMS3016SFG-7
Hersteller / Marke:	Diodes Incorporated
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 30V 7A PWRDI3333-8
Datenblätte:	DMS3016SFG-7.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	400553 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 400553 pcs

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Artikelnummer	DMS3016SFG-7	Hersteller	Diodes Incorporated
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 7A PWRDI3333-8	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	400553 pcs	Datenblatt	DMS3016SFG-7.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA	Vgs (Max)	±12V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	PowerDI3333-8
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	13 mOhm @ 11.2A, 10V
Verlustleistung (max)	980mW (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerVDFN	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1886pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	44.6nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	Schottky Diode (Body)	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 30V 7A (Ta) 980mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	7A (Ta)

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