JAN1N5552US

Microsemi Corporation

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Produktübersicht

Artikelnummer:	JAN1N5552US
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF
Datenblätte:	JAN1N5552US.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Zustand des Lagers	7329 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 7329 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von JAN1N5552US

Artikelnummer	JAN1N5552US	Hersteller	Microsemi Corporation
Beschreibung	DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge	7329 pcs	Datenblatt	JAN1N5552US.pdf
Spannung - Spitzensperr- (max)	Standard	Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If	3A
Spannung - Durchschlag	D-5B	Serie	Military, MIL-PRF-19500/420
RoHS Status	Bulk	Rückwärts-Erholzeit (Trr)	Fast Recovery = 200mA (Io)
Widerstand @ If, F	-	Polarisation	SQ-MELF, B
Andere Namen	1086-19414 1086-19414-MIL	Betriebstemperatur - Anschluss	2µs
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer	JAN1N5552US	Expanded Beschreibung	Diode Standard 600V 3A Surface Mount D-5B
Diodenkonfiguration	1µA @ 600V	Beschreibung	DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF
Strom - Sperrleckstrom @ Vr	1.2V @ 9A	Strom - Richt (Io) (pro Diode)	600V
Kapazität @ Vr, F	-65°C ~ 175°C

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