JAN1N5618

Microsemi Corporation

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Produktübersicht

Artikelnummer:	JAN1N5618
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
Datenblätte:	JAN1N5618.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Zustand des Lagers	12841 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 12841 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

132 pcs: $2.709

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Spezifikationen von JAN1N5618

Artikelnummer	JAN1N5618	Hersteller	Microsemi Corporation
Beschreibung	DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge	12841 pcs	Datenblatt	JAN1N5618.pdf
Spannung - Spitzensperr- (max)	Standard	Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If	1A
Serie	Military, MIL-PRF-19500/427	RoHS Status	Bulk
Rückwärts-Erholzeit (Trr)	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	Widerstand @ If, F	-
Polarisation	A, Axial	Andere Namen	1086-2108 1086-2108-MIL
Betriebstemperatur - Anschluss	2µs	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	1 (Unlimited)	Hersteller-Teilenummer	JAN1N5618
Expanded Beschreibung	Diode Standard 600V 1A Through Hole	Diodenkonfiguration	500nA @ 600V
Beschreibung	DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL	Strom - Sperrleckstrom @ Vr	1.3V @ 3A
Strom - Richt (Io) (pro Diode)	600V	Kapazität @ Vr, F	-65°C ~ 200°C

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