STD16N65M2

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STD16N65M2
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
Datenblätte:	STD16N65M2.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	34456 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 34456 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.896

10 pcs: $0.805

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500 pcs: $0.532

1000 pcs: $0.441

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Spezifikationen von STD16N65M2

Artikelnummer	STD16N65M2	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 11A DPAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	34456 pcs	Datenblatt	STD16N65M2.pdf
Spannung - Prüfung	718pF @ 100V	Spannung - Durchschlag	DPAK
VGS (th) (Max) @ Id	360 mOhm @ 5.5A, 10V	Vgs (Max)	10V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Serie	MDmesh™ M2
RoHS Status	Digi-Reel®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	11A (Tc)
Polarisation	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Andere Namen	497-15258-6
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	1 (Unlimited)	Hersteller-Teilenummer	STD16N65M2
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	19.5nC @ 10V	IGBT-Typ	±25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4V @ 250µA	FET-Merkmal	N-Channel
Expanded Beschreibung	N-Channel 650V 11A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount DPAK	Drain-Source-Spannung (Vdss)	-
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 11A DPAK	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	650V
Kapazitätsverhältnis	110W (Tc)

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