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STMicroelectronics: - STMicroelectronics ist ein weltweit unabhängiges Halbleiterunternehmen und führend bei der Entwicklung und Lieferung von Halbleiterlösungen für das gesamte Spektrum der Mikroelektronik. Eine unübertroffene Kombination von Silizium- und System-Know-how, Fertigungsstärke, IP-Portfolio und stra...Details

STGW20V60DF STMicroelectronics Beschreibung:IGBT 600V 40A 167W TO247
STGP20H60DF STMicroelectronics Beschreibung:IGBT 600V 40A 167W TO220
STGY80H65DFB STMicroelectronics Beschreibung:IGBT 650V 120A 469W MAX247
STGWT30H65FB STMicroelectronics Beschreibung:IGBT 650V 30A 260W TO3PL

AMI Semiconductor / ON Semiconductor: - ON Semiconductor (Nasdaq: ON) treibt energieeffiziente Innovationen voran und befähigt Kunden, den weltweiten Energieverbrauch zu reduzieren. Das Unternehmen bietet ein umfassendes Portfolio energieeffizienter Energie- und Signalmanagement-, Logik-, diskreter und kundenspezifischer Lösungen, die...Details

FGL35N120FTDTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Beschreibung:IGBT 1200V 70A 368W TO264
NGTG40N120FL2WG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Beschreibung:IGBT 1200V 40A TO-247
FGA5065ADF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Beschreibung:IGBT 650V 100A TO-3PN
ISL9V5045S3ST AMI Semiconductor / ON Semiconductor Beschreibung:IGBT 480V 51A 300W D2PAK

International Rectifier (Infineon Technologies): Am 1. April 1999 wurde Siemens Semiconductors zu Infineon Technologies. Ein dynamischeres, flexibleres Unternehmen, das auf den Erfolg in der wettbewerbsintensiven, sich ständig verändernden Welt der Mikroelektronik ausgerichtet ist. Infineon ist ein weltweit führender Entwickler, Hersteller und ...Details

IKY75N120CS6XKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Beschreibung:IGBT 1200V 75A TO247PLUS
IRG4PH40UPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Beschreibung:IGBT 1200V 41A 160W TO247AC
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IRGP4068DPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Beschreibung:IGBT 600V 96A 330W TO247AC

IXYS Corporation: - Die IXYS Corporation bietet eine breite Palette von Hochleistungshalbleitern, darunter Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand, ultraschnell schaltende IGBTs, FREDs (Fast Recovery Diode), SCR- und Diodenmodule, Gleichrichterbrücken und Leistungsschnittstellen-ICs. Details

IXGH16N170 IXYS Corporation Beschreibung:IGBT 1700V 32A 190W TO247AD
IXYH40N120B3D1 IXYS Corporation Beschreibung:IGBT 1200V 86A 480W TO247
IXXK200N65B4 IXYS Corporation Beschreibung:IGBT 650V 370A 1150W TO264

LAPIS Semiconductor: - ROHM wurde 1958 in Kyoto, Japan, gegründet. ROHM entwickelt und produziert Halbleiter, integrierte Schaltkreise und andere elektronische Komponenten. Diese Komponenten finden in den dynamischen und ständig wachsenden Märkten für drahtlose, Computer-, Automobil- und Unterhaltungselektronik ein ...Details

RGT40TS65DGC11 LAPIS Semiconductor Beschreibung:IGBT 650V 40A 144W TO-247N
RGTV60TS65DGC11 LAPIS Semiconductor Beschreibung:650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
RGTH60TS65GC11 LAPIS Semiconductor Beschreibung:IGBT 650V 58A 197W TO-247N

Renesas Electronics America: - Renesas Electronics America entwickelt und fertigt hochintegrierte Halbleitersystemlösungen für Automobil-, Mobilfunk- und PC / AV-Märkte. Am 1. April 2003 als Joint Venture zwischen Hitachi, Ltd. und der Mitsubishi Electric Corporation mit Sitz in Tokio, Japan, gegründet, ist Renesas eines de...Details

RJH60D5BDPQ-E0#T2 Renesas Electronics America Beschreibung:IGBT 600V 75A 200W TO-247
RJH1CV6DPK-00#T0 Renesas Electronics America Beschreibung:IGBT 1200V 60A 290W TO-3P
RJP60V0DPM-00#T1 Renesas Electronics America Beschreibung:IGBT 600V 45A 40W TO-3PFM

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