Transistoren-IGBTs-Einzel
Empfohlene Hersteller
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- - ON Semiconductor (Nasdaq: ON) treibt energieeffiziente Innovationen voran und befähigt Kunden, den weltweiten Energieverbrauch zu reduzieren. Das Unternehmen bietet ein umfassendes Portfolio energieeffizienter Energie- und Signalmanagement-, Logik-, diskreter und kundenspezifischer Lösungen, die...Details
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FGH50N3
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:IGBT 300V 75A 463W TO247
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NGTB50N60FWG
ON Semiconductor
Beschreibung:IGBT 600V 100A 223W TO247
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NGTB15N60S1EG
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:IGBT 600V 30A 117W TO220-3
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FGH40N60SFTU
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:IGBT 600V 80A 290W TO247
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Am 1. April 1999 wurde Siemens Semiconductors zu Infineon Technologies. Ein dynamischeres, flexibleres Unternehmen, das auf den Erfolg in der wettbewerbsintensiven, sich ständig verändernden Welt der Mikroelektronik ausgerichtet ist. Infineon ist ein weltweit führender Entwickler, Hersteller und ...Details
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IHW20N135R5XKSA1
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:IGBT 1350V 40A 288W TO247
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IKY40N120CS6XKSA1
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:IGBT 1200V 40A TO247PLUS
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IKFW40N60DH3EXKSA1
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:IGBT 600V 30A TO247-3
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IRGP4062DPBF
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:IGBT 600V 48A 250W TO247AC
- IXYS Corporation
- - Die IXYS Corporation bietet eine breite Palette von Hochleistungshalbleitern, darunter Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand, ultraschnell schaltende IGBTs, FREDs (Fast Recovery Diode), SCR- und Diodenmodule, Gleichrichterbrücken und Leistungsschnittstellen-ICs. Details
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IXYX40N250CHV
IXYS Corporation
Beschreibung:IGBT 2.5KV 70A TO247HV
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IXBH16N170A
IXYS Corporation
Beschreibung:IGBT 1700V 16A 150W TO247AD
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IXBT20N300HV
IXYS Corporation
Beschreibung:IGBT 3000V 50A 250W TO268
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IXYX25N250CV1HV
IXYS Corporation
Beschreibung:IGBT 2500V 235A PLUS247
- Renesas Electronics America
- - Renesas Electronics America entwickelt und fertigt hochintegrierte Halbleitersystemlösungen für Automobil-, Mobilfunk- und PC / AV-Märkte. Am 1. April 2003 als Joint Venture zwischen Hitachi, Ltd. und der Mitsubishi Electric Corporation mit Sitz in Tokio, Japan, gegründet, ist Renesas eines de...Details
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RJH60F7DPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
Beschreibung:IGBT 600V 90A 328.9W TO247A
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RJH60F6BDPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
Beschreibung:IGBT 600V 85A 297.6W TO-247A
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RJH60D1DPE-00#J3
Renesas Electronics America
Beschreibung:IGBT 600V 20A 52W LDPAK
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RJH60F0DPK-00#T0
Renesas Electronics America
Beschreibung:IGBT 600V 50A 201.6W TO-3P
- STMicroelectronics
- - STMicroelectronics ist ein weltweit unabhängiges Halbleiterunternehmen und führend bei der Entwicklung und Lieferung von Halbleiterlösungen für das gesamte Spektrum der Mikroelektronik. Eine unübertroffene Kombination von Silizium- und System-Know-how, Fertigungsstärke, IP-Portfolio und stra...Details
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STGP19NC60H
STMicroelectronics
Beschreibung:IGBT 600V 40A 130W TO220
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STGD14NC60KT4
STMicroelectronics
Beschreibung:IGBT 600V 25A 80W DPAK
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STGWA25S120DF3
STMicroelectronics
Beschreibung:IGBT 1200V 25A TO247-3L
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STGWT40H60DLFB
STMicroelectronics
Beschreibung:IGBT 600V 80A 283W TO3P-3L
- Microsemi
- - Microsemi Corporation (Nasdaq: MSCC) bietet ein umfassendes Portfolio an Halbleiter- und Systemlösungen für die Luft- und Raumfahrt-, Kommunikations-, Rechenzentrums- und Industriemärkte. Zu den Produkten gehören hochleistungsfähige und strahlungsgehärtete analoge Mixed-Signal-ICs, FPGAs, So...Details
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APT15GT120BRG
Microsemi
Beschreibung:IGBT 1200V 36A 250W TO247
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APT25GR120S
Microsemi
Beschreibung:IGBT 1200V 75A 521W D3PAK
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APT200GN60B2G
Microsemi
Beschreibung:IGBT 600V 283A 682W TO247