1N3070

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	1N3070
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35
Datenblätte:	1N3070.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	4367 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4367 pcs

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Spezifikationen von 1N3070

Artikelnummer	1N3070	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	4367 pcs	Datenblatt	1N3070.pdf
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If	1V @ 100mA	Spannung - Sperr (Vr) (max)	200V
Supplier Device-Gehäuse	DO-35	Geschwindigkeit	Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie	-	Rückwärts-Erholzeit (Trr)	50ns
Verpackung	Bulk	Verpackung / Gehäuse	DO-204AH, DO-35, Axial
Betriebstemperatur - Anschluss	175°C (Max)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp	Standard	detaillierte Beschreibung	Diode Standard 200V 500mA Through Hole DO-35
Strom - Sperrleckstrom @ Vr	100nA @ 175V	Strom - Richt (Io)	500mA
Kapazität @ Vr, F	5pF @ 0V, 1MHz	Basisteilenummer	1N3070

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