2N5657G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	2N5657G
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	TRANS NPN 350V 0.5A TO225AA
Datenblätte:	2N5657G.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	136535 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 136535 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.218

10 pcs: $0.188

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500 pcs: $0.11

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Spezifikationen von 2N5657G

Artikelnummer	2N5657G	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	TRANS NPN 350V 0.5A TO225AA	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	136535 pcs	Datenblatt	2N5657G.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	350V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	10V @ 100mA, 500mA
Transistor-Typ	NPN	Supplier Device-Gehäuse	TO-225AA
Serie	-	Leistung - max	20W
Verpackung	Bulk	Verpackung / Gehäuse	TO-225AA, TO-126-3
Andere Namen	2N5657GOS	Betriebstemperatur	-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Frequenz - Übergang	10MHz
detaillierte Beschreibung	Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 500mA 10MHz 20W Through Hole TO-225AA	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	30 @ 100mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max)	100µA	Strom - Kollektor (Ic) (max)	500mA
Basisteilenummer	2N5657

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