2N6052

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	2N6052
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	TRANS PNP DARL 100V 12A TO3
Datenblätte:	2N6052.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Zustand des Lagers	6269 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6269 pcs

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Spezifikationen von 2N6052

Artikelnummer	2N6052	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	TRANS PNP DARL 100V 12A TO3	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge	6269 pcs	Datenblatt	2N6052.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	100V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	3V @ 120mA, 12A
Transistor-Typ	PNP - Darlington	Supplier Device-Gehäuse	TO-204 (TO-3)
Serie	-	Leistung - max	150W
Verpackung	Tray	Verpackung / Gehäuse	TO-204AA, TO-3
Andere Namen	2N6052OS	Betriebstemperatur	-65°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS non-compliant	Frequenz - Übergang	-
detaillierte Beschreibung	Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 12A 150W Through Hole TO-204 (TO-3)	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	750 @ 6A, 3V
Strom - Collector Cutoff (Max)	1mA	Strom - Kollektor (Ic) (max)	12A
Basisteilenummer	2N6052

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