2N6427G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	2N6427G
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO92
Datenblätte:	2N6427G.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	5096 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5096 pcs

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Spezifikationen von 2N6427G

Artikelnummer	2N6427G	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO92	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	5096 pcs	Datenblatt	2N6427G.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	40V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	1.5V @ 500µA, 500mA
Transistor-Typ	NPN - Darlington	Supplier Device-Gehäuse	TO-92-3
Serie	-	Leistung - max	625mW
Verpackung	Bulk	Verpackung / Gehäuse	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Andere Namen	2N6427GOS	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Frequenz - Übergang	-
detaillierte Beschreibung	Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 40V 500mA 625mW Through Hole TO-92-3	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	20000 @ 100mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)	1µA	Strom - Kollektor (Ic) (max)	500mA
Basisteilenummer	2N6427

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