2N6667

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	2N6667
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	TRANS PNP DARL 60V 10A TO220AB
Datenblätte:	2N6667.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Zustand des Lagers	3521 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3521 pcs

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Spezifikationen von 2N6667

Artikelnummer	2N6667	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	TRANS PNP DARL 60V 10A TO220AB	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge	3521 pcs	Datenblatt	2N6667.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	60V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	3V @ 100mA, 10A
Transistor-Typ	PNP - Darlington	Supplier Device-Gehäuse	TO-220AB
Serie	-	Leistung - max	2W
Verpackung	Tube	Verpackung / Gehäuse	TO-220-3
Andere Namen	2N6667OS	Betriebstemperatur	-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS non-compliant	Frequenz - Übergang	-
detaillierte Beschreibung	Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60V 10A 2W Through Hole TO-220AB	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	1000 @ 5A, 3V
Strom - Collector Cutoff (Max)	1mA	Strom - Kollektor (Ic) (max)	10A
Basisteilenummer	2N6667

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