2N7002ET3G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	2N7002ET3G
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23
Datenblätte:
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	5317 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5317 pcs

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Spezifikationen von 2N7002ET3G

Artikelnummer	2N7002ET3G	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	5317 pcs	Datenblatt
VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	SOT-23-3 (TO-236)
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5 Ohm @ 240mA, 10V
Verlustleistung (max)	300mW (Tj)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	26.7pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.81nC @ 5V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 60V 260mA (Ta) 300mW (Tj) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	260mA (Ta)

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