2SC6017-E

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	2SC6017-E
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	TRANS NPN 50V 10A TP
Datenblätte:	2SC6017-E.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	118468 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 118468 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.274

10 pcs: $0.241

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500 pcs: $0.146

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Spezifikationen von 2SC6017-E

Artikelnummer	2SC6017-E	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	TRANS NPN 50V 10A TP	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	118468 pcs	Datenblatt	2SC6017-E.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	50V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	360mV @ 250mA, 5A
Transistor-Typ	NPN	Supplier Device-Gehäuse	TP
Serie	-	Leistung - max	950mW
Verpackung	Bulk	Verpackung / Gehäuse	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Andere Namen	2SC6017-E-ND 2SC6017-EOS	Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Frequenz - Übergang	200MHz
detaillierte Beschreibung	Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 10A 200MHz 950mW Through Hole TP	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	200 @ 1A, 2V
Strom - Collector Cutoff (Max)	10µA (ICBO)	Strom - Kollektor (Ic) (max)	10A

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