ATP613-TL-H

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	ATP613-TL-H
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 500V 5.5A ATPAK
Datenblätte:	ATP613-TL-H.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	4105 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4105 pcs

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Spezifikationen von ATP613-TL-H

Artikelnummer	ATP613-TL-H	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 500V 5.5A ATPAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	4105 pcs	Datenblatt	ATP613-TL-H.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	-	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	ATPAK
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 2.75A, 10V
Verlustleistung (max)	70W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	ATPAK (2 leads+tab)	Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	350pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13.8nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	500V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 500V 5.5A (Ta) 70W (Tc) Surface Mount ATPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	5.5A (Ta)

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