BAV19_T50R

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	BAV19_T50R
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	DIODE GEN PURP 120V 200MA DO35
Datenblätte:	BAV19_T50R.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	6277 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6277 pcs

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Spezifikationen von BAV19_T50R

Artikelnummer	BAV19_T50R	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	DIODE GEN PURP 120V 200MA DO35	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	6277 pcs	Datenblatt	BAV19_T50R.pdf
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If	1.25V @ 200mA	Spannung - Sperr (Vr) (max)	120V
Supplier Device-Gehäuse	DO-35	Geschwindigkeit	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Serie	-	Rückwärts-Erholzeit (Trr)	50ns
Verpackung	Tape & Reel (TR)	Verpackung / Gehäuse	DO-204AH, DO-35, Axial
Betriebstemperatur - Anschluss	175°C (Max)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp	Standard	detaillierte Beschreibung	Diode Standard 120V 200mA Through Hole DO-35
Strom - Sperrleckstrom @ Vr	100nA @ 100V	Strom - Richt (Io)	200mA
Kapazität @ Vr, F	5pF @ 0V, 1MHz	Basisteilenummer	BAV19

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