BD677AS

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	BD677AS
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	TRANS NPN DARL 60V 4A TO-126
Datenblätte:	BD677AS.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	133169 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 133169 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.225

10 pcs: $0.198

100 pcs: $0.152

500 pcs: $0.12

1000 pcs: $0.096

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Spezifikationen von BD677AS

Artikelnummer	BD677AS	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	TRANS NPN DARL 60V 4A TO-126	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	133169 pcs	Datenblatt	BD677AS.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	60V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	2.8V @ 40mA, 2A
Transistor-Typ	NPN - Darlington	Supplier Device-Gehäuse	TO-126
Serie	-	Leistung - max	40W
Verpackung	Bulk	Verpackung / Gehäuse	TO-225AA, TO-126-3
Andere Namen	BD677AS-ND BD677ASFS	Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Frequenz - Übergang	-
detaillierte Beschreibung	Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60V 4A 40W Through Hole TO-126	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	750 @ 2A, 3V
Strom - Collector Cutoff (Max)	500µA	Strom - Kollektor (Ic) (max)	4A
Basisteilenummer	BD677

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Nach dem Verkauf
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★ Lieferzeit dauert 2-4 Tage in die meisten Länder der Welt durch DHL / UPS / FEDEX / TNT.

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