BD681G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	BD681G
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	TRANS NPN DARL 100V 4A TO225AA
Datenblätte:	BD681G.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	136842 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 136842 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.249

10 pcs: $0.22

100 pcs: $0.169

500 pcs: $0.133

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Spezifikationen von BD681G

Artikelnummer	BD681G	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	TRANS NPN DARL 100V 4A TO225AA	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	136842 pcs	Datenblatt	BD681G.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	100V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	2.5V @ 30mA, 1.5A
Transistor-Typ	NPN - Darlington	Supplier Device-Gehäuse	TO-225AA
Serie	-	Leistung - max	40W
Verpackung	Bulk	Verpackung / Gehäuse	TO-225AA, TO-126-3
Andere Namen	BD681GOS	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Frequenz - Übergang	-
detaillierte Beschreibung	Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 4A 40W Through Hole TO-225AA	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	750 @ 1.5A, 3V
Strom - Collector Cutoff (Max)	500µA	Strom - Kollektor (Ic) (max)	4A
Basisteilenummer	BD681

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