BDV65B

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	BDV65B
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	TRANS NPN DARL 100V 10A TO-218
Datenblätte:	BDV65B.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Zustand des Lagers	4989 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4989 pcs

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Spezifikationen von BDV65B

Artikelnummer	BDV65B	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	TRANS NPN DARL 100V 10A TO-218	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge	4989 pcs	Datenblatt	BDV65B.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	100V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	2V @ 20mA, 5A
Transistor-Typ	NPN - Darlington	Supplier Device-Gehäuse	SOT-93
Serie	-	Leistung - max	125W
Verpackung	Tube	Verpackung / Gehäuse	TO-218-3
Betriebstemperatur	-65°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Frequenz - Übergang	-	detaillierte Beschreibung	Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 10A 125W Through Hole SOT-93
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	1000 @ 5A, 4V	Strom - Collector Cutoff (Max)	1mA
Strom - Kollektor (Ic) (max)	10A

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