BU806

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	BU806
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	TRANS NPN DARL 200V 8A TO-220
Datenblätte:	1.BU806.pdf 2.BU806.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	5451 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5451 pcs

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Spezifikationen von BU806

Artikelnummer	BU806	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	TRANS NPN DARL 200V 8A TO-220	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	5451 pcs	Datenblatt	1.BU806.pdf 2.BU806.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	200V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	1.5V @ 50mA, 5A
Transistor-Typ	NPN - Darlington	Supplier Device-Gehäuse	TO-220
Serie	-	Leistung - max	60W
Verpackung	Bulk	Verpackung / Gehäuse	TO-220-3
Andere Namen	BU806-ND BU806FS	Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Frequenz - Übergang	-
detaillierte Beschreibung	Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 200V 8A 60W Through Hole TO-220	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	-
Strom - Collector Cutoff (Max)	100µA	Strom - Kollektor (Ic) (max)	8A
Basisteilenummer	BU806

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