BUB323ZG

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	BUB323ZG
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK
Datenblätte:	BUB323ZG.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	39645 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 39645 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.878

50 pcs: $0.745

100 pcs: $0.635

500 pcs: $0.521

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Spezifikationen von BUB323ZG

Artikelnummer	BUB323ZG	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	39645 pcs	Datenblatt	BUB323ZG.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	350V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	1.7V @ 250mA, 10A
Transistor-Typ	NPN - Darlington	Supplier Device-Gehäuse	D2PAK
Serie	-	Leistung - max	150W
Verpackung	Tube	Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur	-65°C ~ 175°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang	2MHz	detaillierte Beschreibung	Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 350V 10A 2MHz 150W Surface Mount D2PAK
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	500 @ 5A, 4.6V	Strom - Collector Cutoff (Max)	100µA
Strom - Kollektor (Ic) (max)	10A	Basisteilenummer	BUB323

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