BVSS138LT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	BVSS138LT1G
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3
Datenblätte:	BVSS138LT1G.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	224651 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 224651 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.151

10 pcs: $0.137

100 pcs: $0.077

500 pcs: $0.041

1000 pcs: $0.028

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Spezifikationen von BVSS138LT1G

Artikelnummer	BVSS138LT1G	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	224651 pcs	Datenblatt	BVSS138LT1G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	SOT-23-3
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5 Ohm @ 200mA, 5V
Verlustleistung (max)	225mW (Ta)	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Andere Namen	BVSS138LT1GOSCT
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 25V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	50V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 50V 200mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	200mA (Ta)

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