DLE30C

ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DLE30C
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL
Datenblätte:	DLE30C.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	5525 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5525 pcs

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Spezifikationen von DLE30C

Artikelnummer	DLE30C	Hersteller	ON Semiconductor
Beschreibung	DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	5525 pcs	Datenblatt	DLE30C.pdf
Spannung - Spitzensperr- (max)	Standard	Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If	3A
Spannung - Durchschlag	Axial	Serie	-
RoHS Status	Bulk	Rückwärts-Erholzeit (Trr)	Fast Recovery = 200mA (Io)
Widerstand @ If, F	-	Polarisation	DO-201AD, Axial
Betriebstemperatur - Anschluss	35ns	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	1 (Unlimited)	Hersteller-Teilenummer	DLE30C
Expanded Beschreibung	Diode Standard 200V 3A Through Hole Axial	Diodenkonfiguration	10µA @ 400V
Beschreibung	DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL	Strom - Sperrleckstrom @ Vr	980mV @ 3A
Strom - Richt (Io) (pro Diode)	200V	Kapazität @ Vr, F	150°C (Max)

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