DTA113EM3T5G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DTA113EM3T5G
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	TRANS PREBIAS PNP 0.26W SOT723
Datenblätte:	DTA113EM3T5G.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	2328701 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2328701 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

8000 pcs: $0.016

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Spezifikationen von DTA113EM3T5G

Artikelnummer	DTA113EM3T5G	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	TRANS PREBIAS PNP 0.26W SOT723	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	2328701 pcs	Datenblatt	DTA113EM3T5G.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	50V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 5mA, 10mA
Transistor-Typ	PNP - Pre-Biased	Supplier Device-Gehäuse	SOT-723
Serie	-	Widerstand - Emitterbasis (R2)	1 kOhms
Widerstand - Basis (R1)	1 kOhms	Leistung - max	260mW
Verpackung	Tape & Reel (TR)	Verpackung / Gehäuse	SOT-723
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	detaillierte Beschreibung	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 260mW Surface Mount SOT-723
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	3 @ 5mA, 10V	Strom - Collector Cutoff (Max)	500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)	100mA

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