ECH8619-TL-E

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	ECH8619-TL-E
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A ECH8
Datenblätte:	ECH8619-TL-E.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	3594 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3594 pcs

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Spezifikationen von ECH8619-TL-E

Artikelnummer	ECH8619-TL-E	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A ECH8	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	3594 pcs	Datenblatt	ECH8619-TL-E.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	-	Supplier Device-Gehäuse	8-ECH
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	93 mOhm @ 1.5A, 10V
Leistung - max	1.5W	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-SMD, Flat Lead	Andere Namen	869-1156-2
Betriebstemperatur	150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	560pF @ 20V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12.8nC @ 10V
Typ FET	N and P-Channel	FET-Merkmal	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V	detaillierte Beschreibung	Mosfet Array N and P-Channel 60V 3A, 2A 1.5W Surface Mount 8-ECH
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	3A, 2A	Basisteilenummer	ECH8619

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