FCB199N65S3

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FCB199N65S3
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 650V 14A D2PAK
Datenblätte:	FCB199N65S3.pdf
Zustand des Lagers	56781 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 56781 pcs

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Spezifikationen von FCB199N65S3

Artikelnummer	FCB199N65S3	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 14A D2PAK	Bleifreier Status / RoHS Status
Verfügbare Menge	56781 pcs	Datenblatt	FCB199N65S3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4.5V @ 1.4mA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	D²PAK (TO-263)
Serie	SuperFET® III	Rds On (Max) @ Id, Vgs	199 mOhm @ 7A, 10V
Verlustleistung (max)	98W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1225pF @ 400V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 650V 14A (Tc) 98W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	14A (Tc)

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