FCD260N65S3

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FCD260N65S3
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 260MOHM TO252
Datenblätte:	FCD260N65S3.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	116403 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 116403 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von FCD260N65S3

Artikelnummer	FCD260N65S3	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 260MOHM TO252	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	116403 pcs	Datenblatt	FCD260N65S3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4.5V @ 1.2mA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-252, (D-Pak)
Serie	SuperFET® III	Rds On (Max) @ Id, Vgs	260 mOhm @ 6A, 10V
Verlustleistung (max)	90W (Tc)	Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1010pF @ 400V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	650V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 650V 12A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	12A (Tc)

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