FCD4N60TM_WS

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FCD4N60TM_WS
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Datenblätte:	FCD4N60TM_WS.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	5587 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5587 pcs

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Spezifikationen von FCD4N60TM_WS

Artikelnummer	FCD4N60TM_WS	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	5587 pcs	Datenblatt	FCD4N60TM_WS.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	D-Pak
Serie	SuperFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2 Ohm @ 2A, 10V
Verlustleistung (max)	50W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Andere Namen	FCD4N60TM_WSTR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	540pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16.6nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 600V 3.9A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount D-Pak	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	3.9A (Tc)
Basisteilenummer	FCD4N60

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