FCH76N60NF

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FCH76N60NF
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 600V 72.8A TO247-3
Datenblätte:	FCH76N60NF.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	5636 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5636 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $5.553

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Spezifikationen von FCH76N60NF

Artikelnummer	FCH76N60NF	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 72.8A TO247-3	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	5636 pcs	Datenblatt	FCH76N60NF.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-247
Serie	SupreMOS™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	38 mOhm @ 38A, 10V
Verlustleistung (max)	543W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-247-3	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	11045pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	300nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 600V 72.8A (Tc) 543W (Tc) Through Hole TO-247
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	72.8A (Tc)

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