FCP13N60N

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FCP13N60N
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 600V 13A TO220
Datenblätte:	1.FCP13N60N.pdf 2.FCP13N60N.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	21470 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 21470 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $1.724

10 pcs: $1.54

100 pcs: $1.263

800 pcs: $0.924

1600 pcs: $0.862

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Spezifikationen von FCP13N60N

Artikelnummer	FCP13N60N	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 13A TO220	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	21470 pcs	Datenblatt	1.FCP13N60N.pdf 2.FCP13N60N.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220
Serie	SupreMOS™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	258 mOhm @ 6.5A, 10V
Verlustleistung (max)	116W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3	Andere Namen	FCP13N60N-ND FCP13N60NFS
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1765pF @ 100V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	39.5nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 600V 13A (Tc) 116W (Tc) Through Hole TO-220	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	13A (Tc)

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Nach dem Verkauf
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