FCP190N60

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FCP190N60
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 600V TO220-3
Datenblätte:	FCP190N60.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	26076 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 26076 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $1.472

10 pcs: $1.313

100 pcs: $1.076

800 pcs: $0.788

1600 pcs: $0.735

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Spezifikationen von FCP190N60

Artikelnummer	FCP190N60	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V TO220-3	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	26076 pcs	Datenblatt	FCP190N60.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220
Serie	SuperFET® II	Rds On (Max) @ Id, Vgs	199 mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max)	208W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2950pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	74nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 600V 20.2A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	20.2A (Tc)

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DHL	www.DHL.com	Die Grundgebühr für den Versand von 35,00 $ hängt von der Zone und dem Land ab.
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