FCPF150N65F

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FCPF150N65F
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 650V 14.9A TO220F
Datenblätte:	FCPF150N65F.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	14363 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 14363 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $2.062

10 pcs: $1.84

100 pcs: $1.509

500 pcs: $1.222

1000 pcs: $1.03

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Spezifikationen von FCPF150N65F

Artikelnummer	FCPF150N65F	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 14.9A TO220F	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	14363 pcs	Datenblatt	FCPF150N65F.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 2.4mA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220F
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	150 mOhm @ 12A, 10V
Verlustleistung (max)	39W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3 Full Pack	Andere Namen	FCPF150N65F-ND FCPF150N65FOS
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3737pF @ 100V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	94nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	650V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 650V 14.9A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	14.9A (Tc)

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