| Artikelnummer | FDB12N50FTM-WS | Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 60956 pcs | Datenblatt | FDB12N50FTM-WS.pdf |
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | D²PAK |
| Serie | UniFET™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700 mOhm @ 6A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 165W (Tc) | Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Andere Namen | FDB12N50FTM-WSTR FDB12N50FTM_WS FDB12N50FTM_WS-ND FDB12N50FTM_WSTR-ND |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1395pF @ 25V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel | FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 500V 11.5A (Tc) 165W (Tc) Surface Mount D²PAK | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 11.5A (Tc) |
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