FDB3860

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDB3860
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK
Datenblätte:	FDB3860.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	4834 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4834 pcs

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Spezifikationen von FDB3860

Artikelnummer	FDB3860	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	4834 pcs	Datenblatt	FDB3860.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-263AB
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	37 mOhm @ 5.9A, 10V
Verlustleistung (max)	3.1W (Ta), 71W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Andere Namen	FDB3860TR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1740pF @ 50V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 100V 6.4A (Ta), 30A (Tc) 3.1W (Ta), 71W (Tc) Surface Mount TO-263AB	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	6.4A (Ta), 30A (Tc)

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