FDB5800

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDB5800
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Datenblätte:	FDB5800.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	29795 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 29795 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.997

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Spezifikationen von FDB5800

Artikelnummer	FDB5800	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	29795 pcs	Datenblatt	FDB5800.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	D²PAK
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 mOhm @ 80A, 10V
Verlustleistung (max)	242W (Tc)	Verpackung	Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Andere Namen	FDB5800DKR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	6625pF @ 15V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	135nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 60V 14A (Ta), 80A (Tc) 242W (Tc) Surface Mount D²PAK	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	14A (Ta), 80A (Tc)

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