FDB8442

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDB8442
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Datenblätte:	FDB8442.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	6353 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6353 pcs

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Spezifikationen von FDB8442

Artikelnummer	FDB8442	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	6353 pcs	Datenblatt	FDB8442.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-263AB
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.9 mOhm @ 80A, 10V
Verlustleistung (max)	254W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Andere Namen	FDB8442TR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	12200pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	235nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	40V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 40V 28A (Ta), 80A (Tc) 254W (Tc) Surface Mount TO-263AB	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	28A (Ta), 80A (Tc)

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